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Fabricación de semiconductores con vacío

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Las bombas de vacío de Busch funcionan en las principales fábricas de semiconductores y son reconocidas por su fiabilidad. Es el resultado de muchos años de prestar atención a las necesidades de nuestros socios fabricantes de semiconductores y sus requisitos de procesos.

Permítanos guiarle para encontrar la solución perfecta para los requisitos de su proceso.

Encuentre su solución de servicio para semiconductores con Busch Group

El Busch Group, líder mundial en tecnología de vacío, une dos marcas expertas: Busch Vacuum Solutions y Pfeiffer Vacuum+Fab Solutions. Juntos, ofrecen una cartera completa de soluciones de vacío y servicios adaptados a la industria de los semiconductores.

Pfeiffer Vacuum+Fab Solutions aporta experiencia especializada en los rangos de alto y ultra vacío y detección de fugas, especialmente para aplicaciones de semiconductores. Con su larga posición en la industria de los semiconductores, Pfeiffer ofrecerá la mejor experiencia posible en el servicio de productos. Ya sea el reacondicionamiento de bombas de vacío o la gestión completa de subfábricas, Pfeiffer garantiza que sus procesos de semiconductores estén en manos seguras.

Servicios de semiconductores

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Nuestras Soluciones Para la Fabricación de Semiconductores

Las soluciones de vacío de Busch son la elección perfecta para todas las aplicaciones de semiconductores. Allí donde sean imprescindibles una elevada fiabilidad, un coste de propiedad bajo y la comunicación inteligente entre herramientas para semiconductores. Desde cámaras load lock hasta los procesos de generación de partículas más exigentes. Hemos suministrado sistemas de vacío a fabricantes de semiconductores líderes en todo el mundo. Además les ofrecemos soporte integral in situ.
VACTEST
Baja exigencia (cámaras load lock y de transferencia, metrología, litografía)
Exigencia media (procesos PVD, limpieza previa PVD, RTA, separación/incineración, marcado por abrasión de óxido, marcado por abrasión de silicio)
Alta exigencia (marcado por abrasión de metales, fuente de implante, HDP, CVD, RTP, epitaxia, SA CVD, MO CVD, PE CVD, LP CVD, ALD)